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在微納加工領域，1μm及以下線寬電極的制備一直是科研工作者面臨的重大挑戰。傳統光刻技術受限于勻膠工藝、光學衍射極限等因素，難以實現高精度圖形化。今天，我們將揭秘如何利用澤攸科技DMD無掩膜光刻機突破這一技術瓶頸！

三大關鍵技術突破

1.精密勻膠控制

•采用AR-P-5350光刻膠，嚴格控制膠層厚度在1μm

•"低速-高速"兩步旋涂法，確保膠膜均勻性

•精確控制前烘溫度和時間，提升膠膜附著力

2.智能曝光系統

•通過QCAD/Klayout軟件實現圖形原位設計

•智能劑量優化算法自動匹配最佳曝光參數

•高精度對位系統確保圖形轉移精度

3.創新顯影工藝

•專用顯影液配方實現高分辨率圖形顯影

•去離子水定影技術減少圖形缺陷

•準剝離工藝保證電極完整性

澤攸科技DMD無掩膜光刻機核心優勢

•采用高分辨率投影物鏡，突破光學衍射極限

•數字微鏡器件(DMD)實現快速圖形切換

•智能曝光控制系統確保工藝穩定性

•支持1μm及以下線寬圖形制備

•操作簡便，大幅提升科研效率

應用案例

該技術已成功應用于：

•二維材料器件電極制備

•納米電子器件研發

•微納傳感器制造

•量子器件研究

技術展望

隨著微納加工技術的不斷發展，澤攸科技將持續優化無掩膜光刻技術，為科研工作者提供更高效、更精準的微納加工解決方案。