化學(xué)機械平面化（CMP）通過化學(xué)腐蝕與機械研磨的協(xié)同作用，選擇性去除材料表面凸起，使晶圓達(dá)到納米級平整度。這種工藝是集成電路（IC）和微機電系統(tǒng)（MEMS）量產(chǎn)的核心環(huán)節(jié)，確保多層芯片結(jié)構(gòu)的精確堆疊.

若表面存在微小不規(guī)則，芯片性能將大幅下降。CMP如同一位“微觀泥瓦匠”，為每一層電路鋪設(shè)完美的基礎(chǔ)平面。

CMP的關(guān)鍵消耗材料是拋光墊，其凹槽設(shè)計直接影響拋光效果。長期使用會導(dǎo)致凹槽堵塞或表面釉化（拋光殘留物堆積），降低工藝穩(wěn)定性。

通過無損檢測技術(shù)（如S mart 2測量系統(tǒng)），制造商可實時監(jiān)控拋光墊狀態(tài)，延長使用壽命，降低30%以上的成本。

現(xiàn)代CMP工藝依賴高精度測量設(shè)備，例如：

•凹槽深度檢測：避免因堵塞導(dǎo)致拋光不均；

•釉化層分析：及時清潔或更換拋光墊。

這些技術(shù)從加工源頭把控質(zhì)量，推動半導(dǎo)體制造向更高良率邁進。

CMP技術(shù)雖隱藏在芯片背后，卻是摩爾定律持續(xù)發(fā)展的基石。未來，隨著3D芯片堆疊技術(shù)的普及，對平整度的要求將更趨嚴(yán)苛。而創(chuàng)新，永遠(yuǎn)始于毫厘之間的精益求精。