PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統

PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統，原位透射電子顯微鏡實驗系統，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構建一個可控的多場環境（包括力、熱、光、電等）

PicoFemto原位MEMS-STM-TEM多場測量系統，該產品是原位透射電子顯微鏡實驗系統，使研究者可以在透射電子顯微鏡中構建一個可控的多場環境（包括力、熱、光、電等），從而對材料或者器件等樣品實現多重激勵下的原位表征。 

性能指標

 透射電鏡指標：

● 兼容指定電鏡型號及極靴；

● 可選雙傾版本，雙傾電學測量樣品桿Y軸傾角±25°（同時受限于極靴間距）；

電學測量指標：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電流測量范圍：１ nA-30 mA，9個量程；

● 電流分辨率：優于100 fA；

● 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

● 粗調范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細調范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

光纖指標：

● 多模光纖外徑250 um，保證電鏡系統真空指標；

● 可選光纖探針、平頭光纖；

● 配備快速SMA接頭、FC接頭；

加熱指標：

● 溫度范圍：室溫到1000 ℃；

● 溫度準確度優于 5% ；

● 溫度穩定性：優于±0.1 ℃。

應用場景

 可通過簡單更換MEMS芯片種類以及不同STM探針為樣品施加至多四種激勵，實現多種復雜的測試功能，完成以往無法實現的研究。

（1）高溫拉伸/壓縮（加熱芯片+電學STM探針）；

（2）熱電子發射/場發射（加熱芯片+電學STM探針）；

（3）三端器件測量（電學芯片+電學STM探針）；

（4）電致發光現象研究（電學芯片+光學STM探針）；

（5）光電現象研究（電學芯片+光學STM探針）。

產品特色

穩定性高

輕松獲得大幅度運動中的高分辨像，適用于更廣泛的應用場景和樣品體系。

很長的壽命

專利技術（專利種類：實用新型（具備高分辨多維操縱和電學測量的電子顯微鏡原位樣品桿） 專利號：202020944865 .4）的“爪-球”結構探針桿因其獨特的結構設計，是公認皮實耐用的探針桿。

很低維護成本

設備配套的針尖制備系統可低成本制備針尖耗材。”爪-球“微動結構已實現模塊化量產，維護成本低。

很大的用戶群

在國內擁有近200個高質量原位用戶，出口到歐美澳等地。每年，用戶會產出大量高質量研究成果。定期組織各類用戶交流活動，搭建學術平臺供用戶交流。

成熟的技術支持網絡

在安徽、北京、東莞和上海擁有分公司，其他各地擁有若干技術支持網點，24小時提供技術支持。

 

部分國內用戶

部分國外用戶

 

性能指標

 透射電鏡指標：

● 兼容指定電鏡型號及極靴；

● 可選雙傾版本，雙傾電學測量樣品桿Y軸傾角±25°（同時受限于極靴間距）；

電學測量指標：

● 包含一個電流電壓測試單元；

● 電流測量范圍：１ nA-30 mA，9個量程；

● 電流分辨率：優于100 fA；

● 電壓輸出范圍：普通模式±10 V，高壓模式±150 V；

● 自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

掃描探針操縱指標：

● 粗調范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；

● 細調范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；

● 細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

光纖指標：

● 多模光纖外徑250 um，保證電鏡系統真空指標；

● 可選光纖探針、平頭光纖；

● 配備快速SMA接頭、FC接頭；

加熱指標：

● 溫度范圍：室溫到1000 ℃；

● 溫度準確度優于 5% ；

● 溫度穩定性：優于±0.1 ℃。

產品特色

穩定性高

輕松獲得大幅度運動中的高分辨像，適用于更廣泛的應用場景和樣品體系。

很長的壽命

專利技術（專利種類：實用新型（具備高分辨多維操縱和電學測量的電子顯微鏡原位樣品桿） 專利號：202020944865 .4）的“爪-球”結構探針桿因其獨特的結構設計，是公認皮實耐用的探針桿。

很低維護成本

設備配套的針尖制備系統可低成本制備針尖耗材。”爪-球“微動結構已實現模塊化量產，維護成本低。

很大的用戶群

在國內擁有近200個高質量原位用戶，出口到歐美澳等地。每年，用戶會產出大量高質量研究成果。定期組織各類用戶交流活動，搭建學術平臺供用戶交流。

成熟的技術支持網絡

在安徽、北京、東莞和上海擁有分公司，其他各地擁有若干技術支持網點，24小時提供技術支持。