TESCAN AMBER X
等離子FIB和無漏磁超高分辨場發射掃描電鏡的完美結合,無限擴展在材料表征領域的應用
TESCAN AMBER X 是完美結合了分析型等離子FIB和超高分辨(UHR)掃描電鏡的綜合分析平臺,能夠同時提供高效率、大面積樣品刻蝕,多模態的樣品表征,以及在無鎵注入干擾狀態下進行樣品制備和改性。 TESCAN AMBER X 具備快速精確的等離子體FIB刻蝕和無漏磁超高分辨SEM成像的特性,使其成為多項研究的首選方案,例如快速制備出寬度可達1 毫米的截面; 高通量、多模態的FIB-SEM斷層掃描,可快速獲得三維重建圖像和可視化數據; 元素化學和/或晶體取向研究; 無注入離子干擾狀態下制備出微米和納米結構,以便通過其它分析方法進行后續測試或表征等。
主要特性
- iFIB+ 氙等離子FIB鏡筒?
- 最大離子束流可達1 μA, 可實現超高刻蝕速率
- 分辨率 : < 15 nm
- 無與倫比的超大視野:1 mm @ 30 keV
- 快速精確的壓電驅動光闌變換器
- BrightBeam™ 超高分辨SEM鏡筒技術?
- 無漏磁超高分辨SEM鏡筒可以最大程度實現各類樣品的分析和表征
- 分辨率:1.5 nm @ 1kV
- 優化的鏡筒內探測器系統,進一步提高了探測能力
- 光闌優化提升了分辨率,特別是在高束流下分辨率
主要應用
- 刻蝕和拋光大橫截面
在3.5小時內完成寬度達1 mm橫截面的刻蝕, 然后使用TESCAN專有的搖擺樣品臺,以較小的離子束流拋光橫截面,這樣可以抑制”幕簾效應“(curtaining),同時還可以在刻蝕過程中原位監控橫截面質量。
- FIB-SEM斷層掃描?
AMBER X 是多尺度、多模態微結構表征的最佳選擇。這款等離子FIB支持快速地刻蝕和拋光樣品。TESCAN用于靜態3D EBSD數據采集的專利技術和嵌入式FIB-SEM層析成像模塊,可以支持各種成像和分析探測器,增加了實用性,使斷層掃描技術可以快速、精確且便捷地應用于各類材料的分析。
- ?無鎵干擾狀態下的樣品制備?
傳統鎵離子 FIB加工時由于鎵離子污染或注入可能導致的微觀結構和/或機械性能改變。氙是一種惰性元素,所以可以實現對鋁等材料進行無污染的樣品制備和加工。
Application Examples(應用案例)
/AMBER-X-images/A-1-mm-wide-polished-cross-section-of-a-Li-ion-battery-electrode-using-Plasma-FIB.png.aspx?height=350)
/AMBER-X-images/A-Li-ion-battery-cross-section-polished-using-Plasma-FIB-with-curtaining-reduction-using-Rocking-Stage-and-a-thin-silicon-mask-to-suppress-the-surface-topography.png.aspx?height=350)
/AMBER-X-images/A-TEM-lamella-prepartion.png.aspx?height=350)
/AMBER-X-images/3D-EDS-Visualization-of-precipitate-distribution-in-high-alloy-steel-prepared-by-selective-laser-melting-and-annealing-(Sample-courtesy-of-Ecole-Polytechnique-de-Montreal).png.aspx?height=350)