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實際案例
Sensofar 三維共焦干涉顯微鏡半導體檢測領域應用
來源:本站 最后更新:2022-12-28 作者:佚名 瀏覽:2746次

關于在半導體領域的應用,我們通常集中在制造過程的后端封裝環節:Sensofar的產品可以用來表征關鍵尺寸,表征材料的粗糙度,以及進行缺陷檢測等。

 

1、碳化硅基晶圓檢測

由于其優異的熱穩定性與特殊的電子傳輸特性,以碳化硅基晶圓為基礎的芯片在很多新興電子器件比如說5G通訊等領域得到了廣泛應用。在制備碳化硅基集成電路時,通常采用的是化學氣相沉積技術。對其表面形貌的測量與表征對于了解其晶體生長過程是否均勻很有必要。SensoVIEW可以通過ISO標準規定的各空間,高度,以及混合參數來表征材料的形貌。

 

2、蝕刻電路

在蝕刻工藝之后,通常需要評估所得特征的高度。SensoPRO 軟件中的 Step Height 插件通過檢測形貌中的兩個不同高度的平面來計算該臺階高度。無論分析的圖案如何,都可以立即識別出該臺階特征。 為了確保測量的最佳精度,該處使用了 干涉測量法。

 

 

33D 十字切口

衡量芯片分割的質量通常有兩個主要參數來表征:高度,以確保底部沒有被損壞;寬度,這是衡量切割質量的標準。 Cross kerf 插件不僅可以檢測十字并提取所需的參數,還可以調平表面以確保晶圓中的現有角度不會影響提取的數據。對于此應用,這些分割特征的高縱橫比使得測量非常具有挑戰性,只有 Ai Focus Variation 才能合適的解決此應用中存在的問題。

 

4、鈍化層孔

鈍化層上的孔決定了芯片與引線鍵合的通路。孔插件可以測量直徑從50微米到2毫米的孔,在此應用中非常實用。

 

5、孔內薄膜厚度

S neox 擴展了反射光譜儀的應用,因為它可以使用低至3微米的光斑測量直徑非常小的孔上的薄膜厚度!

6、通過表面測量管控晶片翹曲

該晶圓經過了不同的工序,其表面有不同的特征點。

紋理化工藝處理使得這些特征點表面非常粗糙,因此可以用 S wide來測量。

在高溫環境實施的外延生長薄膜工藝使得晶圓有可能產生變形。 為了評估這一點,我們用SensoVIEW測量了特征結構之間的距離,看它們是否符合預期的長度,由此來判斷晶圓是否有形變。

 

 

 

西班牙Sensofar品牌簡介

   Sensofar是西班牙的一家高新技術公司,成立于2001年,總部位于西班牙科技中心巴塞羅那附近的塔拉薩(Terrassa)。公司通過戰略合作伙伴構成全球網絡,在超過20 個國家設有代表處,始終遵循先進的技術、卓越的質量和優質客戶服務的宗旨。

   Sensofar公司專注于研發非接觸式3D光學表面測量技術,致力于開發、制造和供應高端3D測量工具,并提供3D測量技術領域內的咨詢服務。Sensofar持續不斷地研發和申請表面測量專利技術,在全球范圍內創造了數百種表面形貌測量應用產品。在高精度3D光學測量技術方面,擁有其他品牌難以比擬的技術實力。   

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